公布日：2023.04.25
申請日：2023.02.22
分類(lèi)號：C02F5/06(2023.01)I;C02F1/04(2023.01)I;B01D9/00(2006.01)I
摘要
本發(fā)明公開(kāi)的一種石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝，包括蒸發(fā)結晶單元初次啟動(dòng)時(shí)，在誘導結晶過(guò)程中，向蒸發(fā)結晶單元添加硫酸鈣結晶，誘導結晶過(guò)程中輔助投入硫酸鈣晶種，蒸發(fā)結晶單元啟動(dòng)后，在二效循環(huán)管濃縮液排出液出口設置旋液分離器，分離出硫酸鈣顆粒作為晶種，回流至四效循環(huán)管，停止投加硫酸鈣晶種。本發(fā)明屬于工業(yè)廢水防垢工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種四效加兩效蒸發(fā)單元中二效循環(huán)管設置旋液分流器，用以分離一定粒徑的晶種顆粒，在蒸發(fā)單元啟動(dòng)前輔助投加一定量和一定粒徑的硫酸鈣晶種，進(jìn)行晶種誘導結晶，防止硫酸鈣在循環(huán)管和加熱室結垢的石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝。
權利要求書(shū)
1.一種石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝，其特征在于：基于氯化鈣和硝酸鈣為主要物質(zhì)，對石墨高鹽廢水進(jìn)行處理，向蒸發(fā)結晶工藝單元中引入晶種，誘導溶液中硫酸鈣結晶，防止硫酸鈣結垢，包括以下步驟：(1)蒸發(fā)結晶單元初次啟動(dòng)時(shí)，在誘導結晶過(guò)程中，向蒸發(fā)結晶單元添加硫酸鈣結晶；(2)蒸發(fā)結晶單元初次啟動(dòng)時(shí)，誘導結晶過(guò)程中輔助投入硫酸鈣晶種；(3)蒸發(fā)結晶單元啟動(dòng)后，待蒸發(fā)結晶單元內的二效循環(huán)管達到預設的濃縮量時(shí)，在二效循環(huán)管濃縮液排出液出口設置旋液分離器，分離出硫酸鈣顆粒作為晶種，回流至四效循環(huán)管，同時(shí)停止輔助投加硫酸鈣晶種，以四效循環(huán)管晶種濃度控制回流量。
2.根據權利要求1所述的一種石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝，其特征在于：所述硫酸鈣結晶投入量為10g/L。
3.根據權利要求1所述的一種石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝，其特征在于：所述分離出硫酸鈣顆粒粒徑為20μm。
發(fā)明內容
針對上述情況，為克服現有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供一種石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝，在四效加兩效蒸發(fā)單元中二效循環(huán)管設置旋液分流器，用以分離一定粒徑的晶種顆粒，在蒸發(fā)單元啟動(dòng)前輔助投加一定量和一定粒徑的硫酸鈣晶種，進(jìn)行晶種誘導結晶，防止硫酸鈣在循環(huán)管和加熱室結垢。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：一種石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝，基于氯化鈣和硝酸鈣為主要物質(zhì)，對石墨高鹽廢水進(jìn)行處理，向蒸發(fā)結晶工藝單元中引入晶種，誘導溶液中硫酸鈣結晶，防止硫酸鈣結垢，包括以下步驟：。
(1)蒸發(fā)結晶單元初次啟動(dòng)時(shí)，在誘導結晶過(guò)程中，向蒸發(fā)結晶單元添加硫酸鈣結晶；
(2)蒸發(fā)結晶單元初次啟動(dòng)時(shí)，誘導結晶過(guò)程中輔助投入硫酸鈣晶種；
(3)蒸發(fā)結晶單元啟動(dòng)后，待蒸發(fā)結晶單元內的二效循環(huán)管達到預設的濃縮量時(shí)，在二效循環(huán)管濃縮液排出液出口設置旋液分離器，分離出硫酸鈣顆粒作為晶種，回流至四效循環(huán)管，同時(shí)停止輔助投加硫酸鈣晶種，以四效循環(huán)管晶種濃度控制回流量。
進(jìn)一步地，所述硫酸鈣結晶投入量為10g/L。
進(jìn)一步地，所述分離出硫酸鈣顆粒粒徑為20μm。
采用上述結構后，本發(fā)明有益效果如下：本發(fā)明提出的一種石墨高鹽廢水蒸發(fā)零排放結晶單元防垢工藝，首次在氯化鈣和硝酸鈣體系中，對硫酸鈣結垢使用晶種法誘導結晶，有效減緩硫酸鈣的結垢量，處理流程簡(jiǎn)單；蒸發(fā)結晶單元在初次啟動(dòng)時(shí)需要輔助加入定量的硫酸鈣晶種，晶種加入量相對較少，蒸發(fā)結晶正常運行時(shí)依托自身系統內部二效濃縮液分離出粒徑為20μm左右的硫酸鈣顆粒作為晶種。運行費用低，誘導結晶效果好，安全，高效，完全滿(mǎn)足氯化鈣和硝酸鈣體系中預防硫酸鈣結垢，保證蒸發(fā)結晶系統正常運行。
（發(fā)明人：劉攀;劉彥奇;魏旺;王玉鑫;張妙;李俊來(lái)）
